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深圳市滨芯微电子销售二部
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产品信息
描述：
SC8P20AN2结合N沟道增强
高功率产生的MOSFET功率MOSFET
密度和介质功率PNP晶体管。微小的
薄的外形节省了PCB的消耗。
PNP低VCESAT组合小突破
信号晶体管和N沟道沟道MOSFET。
设备安装在无引线中功率DFN2x2中。
表面安装器件（SMD）塑料封装。
低集电极发射极饱和电压VCESAT
高集电极电流能力I和I Ccm
高I Fe C的高集电极电流增益（H）
由于较少的热量产生的高能量效率
小型印刷电路板（PCB）
面积比传统转炉
负载开关
电源管理
电源开关（如电机、风扇）
充电电路
电池驱动装置